Chủ đề của CEA201 - Tổ chức và Kiến trúc máy tính

CEA201 Chương 5 - Bộ nhớ trong

Bộ nhớ bán dẫn và cách tổ chức nó. Phần đầu so sánh RAM động DRAM với RAM tĩnh SRAM về cấu tạo tế bào, nhu cầu làm tươi, tốc độ và giá thành, cùng họ bộ nhớ chỉ đọc ROM, PROM, EPROM, EEPROM và flash; kèm tổ chức chip nhớ, giải mã địa chỉ hai chiều và cách ghép nhiều chip thành module. Phần thứ hai về phát hiện và sửa lỗi: bit chẵn lẻ, mã Hamming, sơ đồ SEC-DED sửa một bit và phát hiện hai bit, cách tính số bit kiểm tra cần thiết. Phần cuối trình bày các tổ chức DRAM tiên tiến gồm SDRAM đồng bộ, DDR và các thế hệ DDR2 DDR3 DDR4, cùng luồng dữ liệu từ RAM qua cache tới CPU.

Xem danh sách câu hỏi4 câu hỏi100% có giải thích

Bắt đầu bằng Chế độ học nếu bạn muốn đáp án và giải thích hiện ngay sau mỗi câu — không bấm giờ, dừng lúc nào cũng được. Chọn Thi thử khi muốn biết mình đang ở đâu: có bấm giờ, chấm điểm ở cuối, và giải thích chỉ mở sau khi nộp.

Học ngân hàng câu hỏi của chủ đề

Luyện tập theo chủ đề này

4Câu hỏi hiện có

Câu hỏi của chủ đề

4/4 câuHết danh sách
A3 check bits
B4 check bits
C5 check bits
D6 check bits
Lời giải
Đáp án đúng: "5 check bits". Với mã Hamming sửa một lỗi (SEC), số bit kiểm tra K phải thoả 2^K − 1 ≥ M + K, trong đó M là số bit dữ liệu, để mỗi giá trị syndrome chỉ ra đúng một vị trí bit hoặc trạng thái không lỗi. Với M = 20: K = 4 cho 2^4 − 1 = 15 < 24, không đủ; K = 5 cho 31 ≥ 25, đủ. "3 check bits" sai vì 2^3 − 1 = 7, chỉ đánh địa chỉ được tối đa 4 bit dữ liệu. "4 check bits" sai vì 15 < 24, chỉ đủ cho tối đa 11 bit dữ liệu. "6 check bits" sai vì đó là con số của SEC-DED (sửa một lỗi, phát hiện hai lỗi) cho 20 bit dữ liệu, cần thêm một bit chẵn lẻ tổng, vượt mức tối thiểu mà riêng SEC yêu cầu.
Mở trang câu hỏi này →
AA system experiencing occasional single-bit errors due to electromagnetic interference
BA system running mission-critical applications where error detection alone is insufficient
CA memory module designed for consumer laptops rather than enterprise servers
DA CPU cache where speed is prioritized over data integrity
Lời giải
Đáp án đúng: "A system running mission-critical applications where error detection alone is insufficient". Bit chẵn lẻ chỉ phát hiện được lỗi lẻ bit, không biết bit nào sai nên không sửa được; khi hệ thống quan trọng không chấp nhận dừng hay mất dữ liệu, cần mã ECC như Hamming SEC-DED để tự sửa lỗi đơn và phát hiện lỗi kép. "A system experiencing occasional single-bit errors due to electromagnetic interference" sai vì lỗi đơn bit thỉnh thoảng xảy ra vẫn nằm trong khả năng phát hiện của parity, tình huống này chưa buộc phải dùng cơ chế mạnh hơn. "A memory module designed for consumer laptops rather than enterprise servers" sai vì máy tiêu dùng thường bỏ qua ECC để giảm giá; chính máy chủ doanh nghiệp mới cần ECC. "A CPU cache where speed is prioritized over data integrity" sai vì khi ưu tiên tốc độ hơn toàn vẹn dữ liệu, người thiết kế chọn cơ chế đơn giản, không thêm mạch ECC phức tạp.
Mở trang câu hỏi này →
ASDRAM reduces latency by dynamically adjusting the refresh rate based on workload
BSDRAM synchronizes with the CPU clock, allowing pipelined memory accesses
CSDRAM has larger memory cells, enabling higher storage capacity per chip
DSDRAM eliminates the need for precharge cycles, reducing access time
Lời giải
Đáp án đúng: "SDRAM synchronizes with the CPU clock, allowing pipelined memory accesses". SDRAM trao đổi dữ liệu theo nhịp đồng hồ hệ thống nên bộ xử lý biết chính xác ở chu kỳ nào dữ liệu sẵn sàng và không phải ngồi chờ; nhờ vậy có thể đưa yêu cầu mới vào khi yêu cầu cũ chưa xong (pipelining) và dùng burst mode để truyền liên tiếp nhiều từ. "SDRAM reduces latency by dynamically adjusting the refresh rate based on workload" sai vì SDRAM vẫn làm tươi theo chu kỳ cố định, lợi thế không đến từ việc điều chỉnh refresh. "SDRAM has larger memory cells, enabling higher storage capacity per chip" sai vì ô nhớ to hơn chỉ làm giảm mật độ, và dung lượng cũng không phải là tốc độ truy cập. "SDRAM eliminates the need for precharge cycles, reducing access time" sai vì SDRAM vẫn phải precharge hàng cũ trước khi mở hàng mới như mọi loại DRAM.
Mở trang câu hỏi này →
A1; 0; 0
B1; 0; 1
C0; 0; 1
D0; 1; 0
Lời giải
Đáp án đúng: "1; 0; 0". Theo hình, bốn ô dữ liệu bên trong là A∩B = 1, A∩C = 1, B∩C = 0 và ô giữa A∩B∩C = 1; bit chẵn lẻ của mỗi vòng phải làm tổng số bit 1 trong vòng đó thành số chẵn. Vòng A gồm A∩B, A∩C và ô giữa: 1 + 1 + 1 = 3, lẻ, nên bit chẵn lẻ của vòng A là 1 để tổng thành 4. Vòng B gồm A∩B, B∩C và ô giữa: 1 + 0 + 1 = 2, đã chẵn, nên bit của vòng B là 0. Vòng C gồm A∩C, B∩C và ô giữa: 1 + 0 + 1 = 2, nên bit của vòng C là 0. "1; 0; 1" sai vì đặt 1 cho vòng C làm vòng này có ba bit 1, thành lẻ. "0; 0; 1" sai vì vòng A khi đó còn ba bit 1 (lẻ), còn vòng C lại bị đẩy lên ba bit 1. "0; 1; 0" sai vì vòng A vẫn lẻ và vòng B có ba bit 1.
Mở trang câu hỏi này →

Đề có câu hỏi của chủ đề này

1 đề chứa ít nhất một câu thuộc chủ đề — mở đề để làm cả bộ, không chỉ từng câu.