DIC201 - Chương 11: Bộ nhớ bán dẫn và lưu trữ

Đáp án đúng: "time to reference a block of data". Memory latency là độ trễ từ lúc hệ thống yêu cầu truy cập đến khi dữ liệu cần thiết bắt đầu sẵn sàng; trong ngữ cảnh bộ nhớ, cách diễn đạt này gần với thời gian để tham chiếu và lấy một khối dữ liệu. "average down time" nói về thời gian hệ thống ngừng hoạt động, không đo độ trễ truy cập bộ nhớ. "processor access time" quá rộng và không diễn đạt rõ thời gian chờ dữ liệu được phục vụ. "the hit rate" là tỷ lệ yêu cầu được đáp ứng trong cache, một đại lượng thống kê chứ không phải khoảng thời gian. Cần phân biệt thời gian trễ với tỷ lệ hit: chúng ảnh hưởng hiệu năng theo những cách khác nhau.

Đáp án đúng: "synchronous SRAM". ADDRESS-BURST là khả năng truyền địa chỉ theo cụm, được dùng ở SRAM đồng bộ: thiết bị nhận địa chỉ đồng bộ theo clock và có thể xử lý liên tiếp các địa chỉ kế tiếp trong burst. DRAM đồng bộ cũng có cơ chế burst, nhưng câu này gọi đúng tính năng ADDRESS-BURST của synchronous SRAM. "asynchronous SRAM" không mô tả bộ nhớ đồng bộ được hỏi hoặc không cung cấp chế độ burst địa chỉ phù hợp; bất đồng bộ không chốt theo clock, còn fast page mode là DRAM bất đồng bộ. "fast page mode DRAM" không mô tả bộ nhớ đồng bộ được hỏi hoặc không cung cấp chế độ burst địa chỉ phù hợp; bất đồng bộ không chốt theo clock, còn fast page mode là DRAM bất đồng bộ. "synchronous mode DRAM" không mô tả bộ nhớ đồng bộ được hỏi hoặc không cung cấp chế độ burst địa chỉ phù hợp; bất đồng bộ không chốt theo clock, còn fast page mode là DRAM bất đồng bộ.

Đáp án đúng: "A device programmer". EPROM được nạp dữ liệu bằng thiết bị lập trình, thiết bị này áp dụng trình tự và mức điện áp cần thiết cho loại chip tương ứng; với EPROM xoá bằng tia cực tím, dữ liệu đã nạp có thể được xoá trước khi lập trình lại. "Transistors" và "Diodes" là loại linh kiện có thể có trong cấu trúc mạch nhưng không phải công cụ nạp chip. "A multiprogrammer" không phải tên thiết bị cụ thể trong cách phân loại này; thiết bị lập trình là phương tiện trực tiếp để ghi mẫu bit vào EPROM.

Đáp án đúng: "4096". Dung lượng bit bằng số địa chỉ nhân số bit lưu tại mỗi địa chỉ: 512 × 8 = 4096 bit. Có thể kiểm tra 512 = 2⁹ địa chỉ, mỗi địa chỉ chứa một byte, nên toàn bộ bộ nhớ có 2¹² bit. "512" chỉ đếm số địa chỉ, chưa tính độ rộng dữ liệu. "1024" và "2048" đều thấp hơn tích thực tế vì lần lượt tương đương chỉ tính hai hoặc bốn bit cho mỗi địa chỉ. Câu hỏi yêu cầu bit capacity nên đơn vị kết quả là bit; nếu đổi sang byte thì 4096 bit bằng 512 byte, nhưng không được nhầm số byte với số bit.

Đáp án đúng: "answers (a) and (c)". RAM khả biến mất dữ liệu khi nguồn bị ngắt; thao tác ghi dữ liệu mới cũng thay thế nội dung cũ tại địa chỉ đó "power goes off" không phù hợp vì không thỏa định nghĩa hoặc điều kiện đang xét; phép đối chiếu với nguyên lý vừa nêu cho thấy nội dung này không thể thay cho đáp án. "the data are read from the address" không phù hợp vì không thỏa định nghĩa hoặc điều kiện đang xét; phép đối chiếu với nguyên lý vừa nêu cho thấy nội dung này không thể thay cho đáp án. "new data are written at the address" không phù hợp vì không thỏa định nghĩa hoặc điều kiện đang xét; phép đối chiếu với nguyên lý vừa nêu cho thấy nội dung này không thể thay cho đáp án.