The small-signal parameter gds for a MOS transistor describes:
4 phương ánCó giải thích
Các phương án trả lời
Chọn một phương ánLời giảiChọn phương án để mở
Đáp án đúng: "A linearized relation between the drain current and the drain-source voltage". Tham số tín hiệu nhỏ g_ds được định nghĩa là ∂I_D/∂V_DS tại điểm làm việc, tức độ dốc tuyến tính hoá của đặc tuyến I_D theo V_DS; ở vùng bão hoà g_ds ≈ λI_D = 1/r_o. "A linearized relation between the gate-source voltage and threshold voltage" sai vì V_t là thông số của công nghệ và điện áp thân, không có tham số tín hiệu nhỏ nào nối V_GS với V_t. "A linearized relation between the source and bulk voltage" sai vì ảnh hưởng của điện áp nguồn-đế lên dòng được mô tả bằng g_mb, không phải g_ds. "A nonlinear drain-source voltage response" sai vì mọi tham số tín hiệu nhỏ đều là xấp xỉ tuyến tính quanh điểm phân cực; g_ds chính là cách bỏ đi tính phi tuyến chứ không mô tả nó.
Cùng chương 3
For the circuit shown below, assume that the transistor is in the active region. The transistor has a threshold voltage V_t = 0.4 V and a channel-length modulation parameter λ = 0.2 V⁻¹. The bias current ID is 200 μA and the bias values of v(IN) and v(Out) are both 0.9 V.
The transconductance of the transistor is:Có lời giảiCâu hỏiThe mobile electric carriers in the channel of an NMOS transistor are:Có lời giảiCâu hỏiWhen the gate-source voltage for a PMOS transistor is positive, the transistor is:Có lời giảiCâu hỏi