The mobile electric carriers in the channel of an NMOS transistor are:

Đáp án đúng: "Electrons". NMOS được chế tạo trên đế loại p với hai vùng nguồn, máng pha tạp n; khi V_GS vượt ngưỡng, điện trường cổng hút điện tử lên bề mặt tạo lớp đảo loại n, nên hạt dẫn di động trong kênh là electron. "Holes" sai vì lỗ trống là hạt dẫn của kênh PMOS, nơi lớp đảo hình thành trên đế loại n. "p-doped regions" sai vì vùng pha tạp p là phần đế, một vùng vật liệu cố định chứ không phải hạt mang điện chạy trong kênh. "n-doped regions" sai vì đó là các vùng nguồn và máng được khuếch tán sẵn, chúng là điểm nối của kênh chứ không phải bản thân hạt dẫn di động.