For the circuit shown below, assume that the transistor is in the active region. The transistor has a threshold voltage V_t = 0.4 V and a channel-length modulation parameter λ = 0.2 V⁻¹. The bias current ID is 200 μA and the bias values of v(IN) and v(Out) are both 0.9 V. The transconductance of the transistor is:

Đáp án đúng: "0.8mA/V". Trong mạch, nguồn của NMOS nối đất nên V_GS = v(IN) = 0.9 V, suy ra overdrive voltage V_ov = 0.9 − 0.4 = 0.5 V. Với mô hình bình phương, g_m = 2I_D/V_ov = 2 × 0.2 mA / 0.5 V = 0.8 mA/V; tham số λ chỉ quyết định r_o = 1/(λI_D) = 25 kΩ chứ không làm đổi g_m khi I_D đã cho. "0.4mA/V" sai vì đó là I_D/V_ov, quên hệ số 2 khi đạo hàm I_D theo V_GS. "1.6mA/V" sai vì đòi V_ov chỉ 0.25 V, tức lấy nhầm V_GS hoặc nhân đôi kết quả thêm một lần. "2.4mA/V" sai vì ứng với V_ov khoảng 0.17 V, không khớp với V_GS = 0.9 V và V_t = 0.4 V của đề.