The channel-length modulation in a MOS transistor causes the transistor to have:
4 phương ánCó giải thích
Các phương án trả lời
Chọn một phương ánLời giảiChọn phương án để mở
Đáp án đúng: "A drain current depending on the drain-source voltage". Khi V_DS tăng ở vùng bão hoà, điểm thắt kênh lùi về phía nguồn làm chiều dài kênh hiệu dụng ngắn lại, nên dòng máng tăng theo I_D = (β/2)V_ov²(1 + λV_DS) và transistor có điện trở ra hữu hạn r_o. "A linearized relation between the drain current and gate-source voltage" sai vì quan hệ I_D theo V_GS vẫn là bình phương; tuyến tính hoá quanh điểm làm việc cho ra g_m, không liên quan đến điều chế độ dài kênh. "A threshold voltage depending on the source-bulk voltage" sai vì đó là hiệu ứng thân (body effect), do điện áp nguồn-đế làm rộng vùng nghèo dưới kênh. "An exponential relation between the drain current and gate-source voltage" sai vì quan hệ mũ là đặc trưng của vùng dưới ngưỡng (weak inversion), không phải hệ quả của điều chế độ dài kênh.
Cùng chương 3
For the circuit shown below, assume that the transistor is in the active region. The transistor has a threshold voltage V_t = 0.4 V and a channel-length modulation parameter λ = 0.2 V⁻¹. The bias current ID is 200 μA and the bias values of v(IN) and v(Out) are both 0.9 V.
The transconductance of the transistor is:Có lời giảiCâu hỏiThe mobile electric carriers in the channel of an NMOS transistor are:Có lời giảiCâu hỏiCả 5 câu của chủ đề5 câu