For the bias circuit shown below, we assume that the transistors are modeled by the Shichman-Hodges model and that the channel-length modulation can be neglected. With K = 4 and M =3 in the circuit above and an effective gate voltage of 0.4 V for M1 , the value of RB required for I_o=0.3 mA is:

Đáp án đúng: "2kΩ". Theo sơ đồ, M3:M4 = 1:1 nên M1 và M2 cùng mang dòng I_B, còn M5 rộng gấp M lần M1 nên I_o = M·I_B, suy ra I_B = 0.3/3 = 0.1 mA. Vì M2 rộng gấp K = 4 lần M1 mà cùng dòng, theo Shichman-Hodges V_ov2 = V_ov1/√K = 0.4/2 = 0.2 V. Hai cổng nối chung nên V_GS1 = V_GS2 + I_B·R_B, bỏ qua hiệu ứng thân ta có I_B·R_B = V_ov1 − V_ov2 = 0.2 V, vậy R_B = 0.2 V / 0.1 mA = 2 kΩ. "1kΩ" sai vì chỉ tạo sụt áp 0.1 V, khi đó V_ov2 = 0.3 V ứng với K ≈ (0.4/0.3)² ≈ 1.78 chứ không phải 4. "4kΩ" sai vì sụt áp 0.4 V bằng đúng V_ov1, buộc V_ov2 = 0 tức M2 tắt, không thể dẫn I_B. "6kΩ" sai vì sụt áp 0.6 V vượt cả V_ov1, mạch không có điểm làm việc với dòng 0.1 mA.